FCP25N60N_F102

FCP25N60N_F102图片1
FCP25N60N_F102图片2
FCP25N60N_F102图片3
FCP25N60N_F102图片4
FCP25N60N_F102图片5
FCP25N60N_F102图片6
FCP25N60N_F102图片7
FCP25N60N_F102图片8
FCP25N60N_F102图片9
FCP25N60N_F102图片10
FCP25N60N_F102图片11
FCP25N60N_F102图片12
FCP25N60N_F102图片13
FCP25N60N_F102中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.107 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 216 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 25A

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 3352pF @100VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 216W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.672 mm

高度 15.215 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买FCP25N60N_F102
型号: FCP25N60N_F102
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:SupreMOS® MOSFET,Fairchild Semiconductor Fairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。 与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比,其低 RDS(接通)和总栅极电荷让品质因素 FOM 降低了 40%。 此外,SupreMOS 系列为相同的 RDS(接通)提供低栅极电荷,提供极佳的切换性能,切换和传导损耗降低 20%,从而获得更高的效率。 这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台