FCP9N60N

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCP9N60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 600 V, 0.33 ohm, 10 V, 2 V

SupreMOS® MOSFET， Semiconductor

Fairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。

与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比，其低 RDS（接通）和总栅极电荷让品质因素 FOM 降低了 40%。 此外，SupreMOS 系列为相同的 RDS（接通）提供低栅极电荷，提供极佳的切换性能，切换和传导损耗降低 20%，从而获得更高的效率。

这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。

### MOSFET ，Fairchild Semiconductor

Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。