NPN 晶体管，60V 至 100V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 60V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 75MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 250~550 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 350mV/0.35V 耗散功率PcPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| NPN Low Saturation Transistor high current gain 描述与应用| NPN低饱和 高电流增益
频率 75 MHz
额定电压DC 60.0 V
额定电流 2.00 A
极性 NPN
耗散功率 0.5 W
增益频宽积 75 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 250 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 550
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.4 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FSB560A Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FMMT451TA 美台 | 功能相似 | FSB560A和FMMT451TA的区别 |
2SC5866TLQ 罗姆半导体 | 功能相似 | FSB560A和2SC5866TLQ的区别 |
FPN660A 飞兆/仙童 | 功能相似 | FSB560A和FPN660A的区别 |