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FDP5690概述

60V N沟道MOSFET PowerTrenchTM 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET

N-Channel 60 V 32A Tc 58W Tc Through Hole TO-220-3

得捷:
MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3

立创商城:
N沟道 60V 32A

贸泽:
MOSFET 60V N-Ch PowerTrench

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

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Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

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Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

Win Source:
MOSFET N-CH 60V 32A TO-220

FDP5690中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 32.0 A

漏源极电阻 27.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 58 W

输入电容 1.12 nF

栅电荷 23.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 32.0 A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 1120pF @25VVds

额定功率Max 58 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 58W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： FDP5690

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：60V N沟道MOSFET PowerTrenchTM 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET

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