PNP 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -35V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −25V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -3A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −600mV/-0.6V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| PNP Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3A continuous. 描述与应用| 低饱和PNP 这些设备的设计与高电流增益和低饱和电压与集电极电流高达3A的连续。
频率 100 MHz
额定电压DC -25.0 V
额定电流 -3.00 A
极性 PNP
耗散功率 500 mW
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 2V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.4 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FSB749 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |