FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDY3000NZ 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 600 mA, 20 V, 700 mohm, 4.5 V, 1 V
The is a dual N-channel MOSFET designed using advanced PowerTrench® process. It is suitable for use with Li-Ion battery pack.
得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
立创商城:
2个N沟道 20V 600mA
欧时:
### PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin SOT-563F T/R
富昌:
FDY3000NZ 系列 20 V 700 mOhm 双 N 沟道 专用 PowerTrench MOSFET
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin SOT-563F T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.6A; 0.625W; SOT563
Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin SOT-563F T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDY3000NZ Dual MOSFET, Dual N Channel, 600 mA, 20 V, 700 mohm, 4.5 V, 1 V
Win Source:
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89
DeviceMart:
MOSFET N-CH DUAL SC89
针脚数 6
漏源极电阻 700 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 625 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 600 mA
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 60pF @10VVds
额定功率Max 446 mW
下降时间 2.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-89-6
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.5 mm
封装 SC-89-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDY3000NZ Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDY3001NZ 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDY3000NZ和FDY3001NZ的区别 |