FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV305N 晶体管, MOSFET, N沟道, 900 mA, 20 V, 220 mohm, 4.5 V, 1 V
The is a N-channel MOSFET uses "s high voltage PowerTrench® process. It has been optimized for load switch and battery protection applications.
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- Low gate charge
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- Fast switching speed
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- High performance Trench technology for extremely low RDS ON
额定电压DC 20.0 V
额定电流 900 mA
针脚数 3
漏源极电阻 220 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 900 mA
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 109pF @10VVds
额定功率Max 350 mW
下降时间 1.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDV305N Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDV305N_NL 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDV305N和FDV305N_NL的区别 |