FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN352AP 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.3 A, -30 V, 180 mohm, -10 V, -2 V
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 25V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.3A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.15Ω @-1.3A,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.8--2.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| High performance trench technology for extremely low RDSON .High power version of industry Standard SOT-23 package. Identical pin-out to SOT-23 with 30% higher power handling capability. 描述与应用| 高性能沟道技术极低 RDS（ON） 行业标准SOT-23封装的高功率版本。 相同的引脚SOT-23的30％更高的功率处理能力
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -1.30 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 180 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 500 mW
输入电容 150 pF
栅电荷 1.40 nC
漏源极电压Vds 30 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids -1.30 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 150pF @15VVds
额定功率Max 460 mW
下降时间 1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.4 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDN352AP Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
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