FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN358P 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.6 A, -30 V, 200 mohm, -10 V, -1.9 V
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.11Ω @-1.5A,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1--2V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| High power version of industry SOT-23 package: identical pin out to SOT-23; 30% higher power handling capability. High density cell design for extremely low RDSON .Exceptional on-resistance and maximum DC current capability. 描述与应用| 行业SOT-23封装的高功率版相同 引脚SOT-23;30％更高的功率处理能力。 高密度电池设计极低的RDS（ON） 卓越的导通电阻和最大DC电流能力
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -1.50 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 200 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 560 mW
输入电容 182 pF
栅电荷 4.00 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 1.50 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 182pF @15VVds
额定功率Max 460 mW
下降时间 2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.4 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDN358P Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
ZXMP3A13FTA 美台 | 功能相似 | FDN358P和ZXMP3A13FTA的区别 |
AO3409 万代半导体 | 功能相似 | FDN358P和AO3409的区别 |
FDN358P_NL 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDN358P和FDN358P_NL的区别 |