NPN 晶体管，40V 至 50V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 320mV/0.32V 耗散功率PcPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| NPN Low Saturation Transistor high current gain 描述与应用| NPN低饱和 高电流增益
频率 100 MHz
额定电压DC 50.0 V
额定电流 2.00 A
极性 NPN
耗散功率 0.5 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 200 @1A, 2V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.4 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FSB619 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FMMT619TA 美台 | 功能相似 | FSB619和FMMT619TA的区别 |
NSS60201LT1G 安森美 | 功能相似 | FSB619和NSS60201LT1G的区别 |
MSD601-RT1G 安森美 | 功能相似 | FSB619和MSD601-RT1G的区别 |