Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −60V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 75MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 250~550 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -300mV/-0.3V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| PNP Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2A continuous. 描述与应用| 低饱和PNP 这些设备的设计与高电流增益和低饱和电压与集电极电流高达2A的连续。
频率 75 MHz
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -2.00 A
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 500 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 250 @500mA, 2V
额定功率Max 500 mW
直流电流增益hFE 40
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.4 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FSB660A Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FSB660A_NL 飞兆/仙童 | 功能相似 | FSB660A和FSB660A_NL的区别 |