FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN327N 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 20 V, 70 mohm, 4.5 V, 700 mV
The is a 20V specified N-channel MOSFET uses "s high voltage PowerTrench® process. It has been optimized for power management and load switch applications.
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- Fast switching speed
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- 4.5nC Typical low gate charge
额定电压DC 20.0 V
额定电流 2.00 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.04 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 700 mV
输入电容 423 pF
栅电荷 4.50 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 2.00 A
上升时间 6.5 ns
输入电容Ciss 423pF @10VVds
额定功率Max 460 mW
下降时间 2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.4 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDN327N Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
IRLML6244TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | FDN327N和IRLML6244TRPBF的区别 |
ZXMN2A01FTA 美台 | 功能相似 | FDN327N和ZXMN2A01FTA的区别 |
PMV56XN,215 恩智浦 | 功能相似 | FDN327N和PMV56XN,215的区别 |