FDG332PZ中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 6
漏源极电阻 0.073 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 750 mW
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 2.6A
上升时间 4.8 ns
输入电容Ciss 560pF @10VVds
额定功率Max 480 mW
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 750mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1 mm
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买FDG332PZ
型号： FDG332PZ
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG332PZ 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.6 A, -20 V, 0.073 ohm, -4.5 V, -700 mV