FDD6030BL

FDD6030BL图片1
FDD6030BL中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 7.7 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3.8 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 42.0 A

上升时间 10 ns

下降时间 5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDD6030BL
型号: FDD6030BL
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道MOSFET PowerTrenchTM N-Channel PowerTrenchTM MOSFET
替代型号FDD6030BL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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