Trans GP BJT NPN 160V 1A 4Pin3+Tab SOT-89 T/R
Bipolar BJT Transistor NPN 160 V 1 A 100MHz 500 mW Surface Mount SOT-89-3
得捷:
TRANS NPN 160V 1A SOT89-3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Silicon Transistor NPN Epitaxial
艾睿:
Trans GP BJT NPN 160V 1A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R
额定电压DC 160 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
耗散功率 500 mW
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 160 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100 @200mA, 5V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-89-3
长度 4.7 mm
宽度 2.7 mm
高度 1.7 mm
封装 SOT-89-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99