FPN430

FPN430中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.7 mm

宽度 3.93 mm

高度 7.87 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FPN430
型号: FPN430
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PNP低饱和晶体管 PNP Low Saturation Transistor

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