FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDY101PZ 晶体管, MOSFET, P沟道, 150 mA, -20 V, 8 ohm, -4.5 V, -1 V
The is a single P-channel MOSFET produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process to optimize the RDS ON at VGS = - 2.5V. It is suitable for Li-ion battery pack application.
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- ESD protection diode
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.15A 3-Pin SOT-523F T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.15A 3-Pin SC-89 T/R
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.15A; 0.625W; SOT523
Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.15A 3-Pin SOT-523F T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDY101PZ MOSFET Transistor, P Channel, 150 mA, 20 V, 8 ohm, -4.5 V, -1 V
Win Source:
MOSFET P-CH 20V 0.15A SC-89
针脚数 3
漏源极电阻 8 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 625 mW
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 150 mA
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 100pF @10VVds
额定功率Max 446 mW
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-89-3
长度 1.6 mm
宽度 0.88 mm
高度 0.78 mm
封装 SC-89-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDY101PZ Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |