FDY2000PZ

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FDY2000PZ概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDY2000PZ  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 350 mA, -20 V, 1.2 ohm, -4.5 V, -1.03 V

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 20V 350mA 446mW Surface Mount SOT-563F


得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI


欧时:
### PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


贸泽:
MOSFET -20V Dual P-Channel Spec PwrTrch MOSFET


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDY2000PZ  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 350 mA, -20 V, 1.2 ohm, -4.5 V, -1.03 V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 6-Pin SOT-563F T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 6-Pin SOT-563F T/R


富昌:
Dual P-Channel 20 V 1.2 ohm Surface Mount Specified PowerTrench Mosfet - SC-89-6


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 6-Pin SOT-563F T/R


TME:
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.35A; 0.625W; SOT563


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 6-Pin SOT-563F T/R


Win Source:
MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F


FDY2000PZ中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 1.2 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 625 mW

漏源极电压Vds 20 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids 350 mA

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 100pF @10VVds

额定功率Max 446 mW

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 0.625 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-89-6

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.6 mm

封装 SC-89-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDY2000PZ
型号: FDY2000PZ
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDY2000PZ  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 350 mA, -20 V, 1.2 ohm, -4.5 V, -1.03 V
替代型号FDY2000PZ
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