FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDY2000PZ 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 350 mA, -20 V, 1.2 ohm, -4.5 V, -1.03 V
Mosfet Array 2 P-Channel Dual 20V 350mA 446mW Surface Mount SOT-563F
得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
欧时:
### PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
贸泽:
MOSFET -20V Dual P-Channel Spec PwrTrch MOSFET
e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDY2000PZ 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 350 mA, -20 V, 1.2 ohm, -4.5 V, -1.03 V
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 6-Pin SOT-563F T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 6-Pin SOT-563F T/R
富昌:
Dual P-Channel 20 V 1.2 ohm Surface Mount Specified PowerTrench Mosfet - SC-89-6
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 6-Pin SOT-563F T/R
TME:
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.35A; 0.625W; SOT563
Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 6-Pin SOT-563F T/R
Win Source:
MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F
针脚数 6
漏源极电阻 1.2 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 625 mW
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 350 mA
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 100pF @10VVds
额定功率Max 446 mW
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.625 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-89-6
长度 1.7 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.6 mm
封装 SC-89-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDY2000PZ Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDY2001PZ 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDY2000PZ和FDY2001PZ的区别 |
NTUD3171PZT5G 安森美 | 功能相似 | FDY2000PZ和NTUD3171PZT5G的区别 |
NTUD3129PT5G 安森美 | 功能相似 | FDY2000PZ和NTUD3129PT5G的区别 |