FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6305N 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.7 A, 20 V, 80 mohm, 4.5 V, 900 mV
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 25V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| 2.7A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 120mΩ@ VGS = 2.5V, ID = 2.2A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 0.4~1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 960mW/0.96W Description & Applications| Dual N-Channel 2.5V Specified Power Trench MOSFET General Description These N-Channel low threshold 2.5V specified MOSFETs are produced using Semiconductor"s advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Applications • Load switch • DC/DC converter • Motor driving Features • Low gate charge 3.5nC typical. • Fast switching speed. • High performance trench technology for extremely low RDSON • SuperSOTTM-6 package: small footprint 描述与应用| 双N沟道2.5V额定功率沟槽MOSFET 概述 这些沟道低阈值2.5V指定的MOSFET采用飞兆半导体先进的功率沟槽进程，已特别是针对减少通态电阻，但维持出色的开关性能低栅极电荷。 应用 •负荷开关 •DC/ DC转换器 •电机驱动 特点 •低栅极电荷（3.5nC典型值）。 •快速开关速度。 •高性能沟道技术极低的RDS（ON） •SuperSOTTM-6包装：占地面积小
额定电压DC 20.0 V
额定电流 2.70 A
通道数 2
针脚数 6
漏源极电阻 80 mΩ
极性 N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 900 mW
阈值电压 900 mV
输入电容 310 pF
栅电荷 3.50 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 2.70 A
上升时间 8.5 ns
输入电容Ciss 310pF @10VVds
额定功率Max 700 mW
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.96 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
长度 3 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Motor Drive & Control, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
