FDS8884参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDS8884中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 8.50 A

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.019 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1.7 V

输入电容 635 pF

栅电荷 13.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 8.50 A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 635pF @15VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDS8884

型号： FDS8884

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8884 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 30 V, 19 mohm, 10 V, 1.7 V 新

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替代型号FDS8884

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
FDS8884 Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
FDS9412 飞兆/仙童	类似代替	FDS8884和FDS9412的区别
IRF7403TRPBF 英飞凌	功能相似	FDS8884和IRF7403TRPBF的区别
FDS9412A 飞兆/仙童	功能相似	FDS8884和FDS9412A的区别