NPN低饱和晶体管 NPN Low Saturation Transistor
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 35V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 25V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 3A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 150MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 600mV/0.6V 耗散功率PcPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| NPN Low Saturation Transistor high current gain 描述与应用| NPN低饱和 高电流增益
额定电压DC 25.0 V
额定电流 3.00 A
极性 NPN
耗散功率 0.5 W
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 2V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99