FDN342P

PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -2A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.062Ω @-2A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.6--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| P-CHANNEL 2.5V SPECIFIED POWER MOSFET load switch battery protection power management 描述与应用| P沟道2.5V指定的功率MOSFET 负荷开关 电池保护 电源管理

得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SuperSOT T/R

安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SuperSOT T/R

富昌:
FDN342P 系列 20 V 0.08 Ohm P 沟道 2.5V 指定 PowerTrench Mosfet SSOT-3

TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3

Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SuperSOT T/R

Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN342P  MOSFET Transistor, P Channel, 2 A, -20 V, 0.062 ohm, -4.5 V, 1.05 V

Win Source:
MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3