FDY300NZ

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FDY300NZ概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDY300NZ  晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 20 V, 0.24 ohm, 4.5 V, 1 V

The is a single N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process to optimize the RDS ON at VGS = 2.5V. It is suitable for Li-ion battery pack application.

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ESD protection diode

欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-523F T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin SC-89 T/R


富昌:
FDY300NZ 系列 20 V 700 mOhm 单 N沟道 2.5 V 指定 PowerTrench MOSFET


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.6A; 0.625W; SOT523


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-523F T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDY300NZ  MOSFET Transistor, N Channel, 600 mA, 20 V, 0.24 ohm, 4.5 V, 1 V


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 600MA SC89


FDY300NZ中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.24 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 625 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 600 mA

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 60pF @10VVds

额定功率Max 446 mW

下降时间 2.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-89-3

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 0.98 mm

高度 0.78 mm

封装 SC-89-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDY300NZ
型号: FDY300NZ
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDY300NZ  晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 20 V, 0.24 ohm, 4.5 V, 1 V
替代型号FDY300NZ
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDY300NZ

Fairchild 飞兆/仙童

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