FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDY300NZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 20 V, 0.24 ohm, 4.5 V, 1 V
The is a single N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process to optimize the RDS ON at VGS = 2.5V. It is suitable for Li-ion battery pack application.
欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-523F T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin SC-89 T/R
富昌:
FDY300NZ 系列 20 V 700 mOhm 单 N沟道 2.5 V 指定 PowerTrench MOSFET
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.6A; 0.625W; SOT523
Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-523F T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDY300NZ MOSFET Transistor, N Channel, 600 mA, 20 V, 0.24 ohm, 4.5 V, 1 V
Win Source:
MOSFET N-CH 20V 600MA SC89
针脚数 3
漏源极电阻 0.24 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 625 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 600 mA
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 60pF @10VVds
额定功率Max 446 mW
下降时间 2.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-89-3
长度 1.7 mm
宽度 0.98 mm
高度 0.78 mm
封装 SC-89-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDY300NZ Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
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NTE4153NT1G 安森美 | 功能相似 | FDY300NZ和NTE4153NT1G的区别 |
NTK3134NT1G 安森美 | 功能相似 | FDY300NZ和NTK3134NT1G的区别 |