特点•PNP多芯片通用放大器•集电极 - 发射极电压VCEO= 40V•放大器和交换应用•E2是引脚1
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -40V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -150MA/-0.15A 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 250MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 100~300 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.5V 耗散功率Pc Power Dissipation | 150MW/0.15W 描述与应用 Description & Applications | 特点•PNP多芯片通用放大器•集电极 - 发射极电压VCEO= 40V•放大器和交换应用•E2是引脚1 技术文档PDF下载 | 在线阅读
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP/-40V/-150mA
艾睿:
Trans GP BJT PNP 40V 0.15A 6-Pin SOT-563F T/R
Win Source:
TRANS PNP 40V 0.15A SOT563F
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -150 mA
极性 PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-563
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.59 mm
封装 SOT-563
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99