PNP 晶体管，60 至 160V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO
Collector-Base VoltageVCBO | -80V
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集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO
Collector-Emitter VoltageVCEO | -80V
集电极连续输出电流IC
Collector CurrentIC | -500MA
截止频率fT
Transtion FrequencyfT | 125MHZ
直流电流增益hFE
DC Current GainhFE | 100
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.25V
耗散功率Pc
Power Dissipation | 0.7W
描述与应用
Description & Applications | PNP型Multi-Chip通用放大器
该设备是专为通用放大器应用在集电极电流300毫安。
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频率 50 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
耗散功率 0.7 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
额定功率Max 700 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
长度 3 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FMBA56 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FMBSA56 飞兆/仙童 | 完全替代 | FMBA56和FMBSA56的区别 |