FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC610PZ 晶体管, P沟道
The is a P-channel MOSFET produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for battery power, load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion applications.
- .
- High performance Trench technology for extremely low RDS ON
- .
- 17nC Typical low gate charge
通道数 1
针脚数 6
漏源极电阻 0.036 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.6 W
阈值电压 2.2 V
输入电容 1.005 nF
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 4.90 mA
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 1005pF @15VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
长度 3 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOT-23-6
重量 0.004535924 kg
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDC610PZ Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
SI3483CDV-T1-GE3 威世 | 功能相似 | FDC610PZ和SI3483CDV-T1-GE3的区别 |