FDN336P参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDN336P概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN336P 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.3 A, -20 V, 0.122 ohm, -4.5 V, -900 mV

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| ±8V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.3A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.12Ω @-1.3A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.4~1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| Single P-Channel 2.5V Specified Power Trench MOSFET .

.: -1.3 A, -20 V. RDSON= 0.20 W @ VGS = -4.5 V RDSON = 0.27 W @ VGS= -2.5 V. * Low gate charge 3.6 nC typical.* High performance trench technology for extremely low RDSON.. 描述与应用| 单P沟道2.5V额定功率沟槽MOSFET。*-1.3 A，-20 V. RDS（ON）= 0.20 W @ VGS=-4.5 V RDS（ON）=0.27 W@ VGS= -2.5 V。*低栅极电荷（3.6 nC典型）。*高性能沟道技术极低的RDS（ON）

FDN336P中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -1.30 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.122 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 500 mW

输入电容 330 pF

栅电荷 3.60 nC

漏源极电压Vds 20 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids 1.20 A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 330pF @10VVds

额定功率Max 460 mW

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.4 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDN336P

型号： FDN336P

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN336P 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.3 A, -20 V, 0.122 ohm, -4.5 V, -900 mV

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替代型号FDN336P

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
FDN336P Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
FDN336P-NL 飞兆/仙童	类似代替	FDN336P和FDN336P-NL的区别
PMV160UP 恩智浦	功能相似	FDN336P和PMV160UP的区别
FDN336P_NL 飞兆/仙童	功能相似	FDN336P和FDN336P_NL的区别