FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN360P 晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -30 V, 80 mohm, -10 V, -1.9 V
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -2A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.060Ω @-2A,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1--3V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| • Low gate charge 5nC typical. • Fast switching speed. •High performance trench technology for extremely low RDSON • High power and current handling capability. 描述与应用| •低栅极电荷（典型5NC）。 •快速开关速度。 •高性能沟道技术极 低RDS（ON） •高功率和电流处理能力
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -2.00 A
额定功率 500 mW
针脚数 3
漏源极电阻 0.08 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 20 V
输入电容 298 pF
栅电荷 6.20 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 -30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 2.00 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 298pF @15VVds
额定功率Max 460 mW
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.5 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.4 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDN360P Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
IRLML5203TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | FDN360P和IRLML5203TRPBF的区别 |