FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN306P 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.6 A, -12 V, 40 mohm, -4.5 V, -600 mV
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -12V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -2.6A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.003Ω @-2.6A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.4--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| • Fast switching speed • High performance trench technology for extremely low RDSON • SuperSOT TM -3 provides low RDSON and 30% higher power handling capability than SOT23 in the same footprint 描述与应用| •开关速度快 •高性能沟道技术极 低RDS（ON） •的SuperSOT TM-3提供低RDS（ON）和30％上 在相同的空间比SOT23封装的功率处理能力
额定电压DC -12.0 V
额定电流 -2.60 A
额定功率 500 mW
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.03 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 500 mW
输入电容 454 pF
栅电荷 12.0 nC
漏源极电压Vds 12 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 2.60 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 1138pF @6VVds
额定功率Max 460 mW
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.5 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.4 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDN306P Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
AO3415 万代半导体 | 功能相似 | FDN306P和AO3415的区别 |