FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC8882 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 30 V, 0.0124 ohm, 10 V, 1.9 V
The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance. It is well suited for load switching applications common in portable battery packs.
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- High performance technology for extremely low RDS ON
针脚数 8
漏源极电阻 0.0124 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 18 W
阈值电压 1.9 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 10.5A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 945pF @15VVds
额定功率Max 2.3 W
下降时间 2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.3W Ta, 18W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 MLP-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 0.73 mm
封装 MLP-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDMC8882 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDMC8884 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDMC8882和FDMC8884的区别 |
FDMC8878 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDMC8882和FDMC8878的区别 |