FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6316P 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 700 mA, -12 V, 0.221 ohm, -4.5 V, -600 mV
The is a dual P-channel MOSFET uses advanced low voltage PowerTrench® process. It has been optimized for battery management and load switch applications.
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- Low gate charge
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- High performance Trench technology for extremely low RDS ON
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- Compact industry standard surface-mount-package
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- ±8V Gate to source voltage
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- -0.7A Continuous drain current
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- -1.8A Pulsed drain current
额定电压DC -12.0 V
额定电流 -700 mA
针脚数 6
漏源极电阻 0.221 Ω
极性 P-Channel, Dual P-Channel
耗散功率 300 mW
输入电容 146 pF
栅电荷 1.70 nC
漏源极电压Vds 12 V
漏源击穿电压 -12.0 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids -700 mA
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 146pF @6VVds
额定功率Max 300 mW
下降时间 2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.3 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1 mm
封装 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDG6316P Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDG6316P_NL 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDG6316P和FDG6316P_NL的区别 |