FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN302P 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 55 mohm, -4.5 V, -1 V
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -2.4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.044Ω @-2.4A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.6--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| • Fast switching speed • High performance trench technology for extremely low RDSON • SuperSOT TM -3 provides low RDSON and 30% higher power handling capability than SOT23 in the same footprint 描述与应用| •开关速度快 •高性能沟道技术极 低RDS（ON） •的SuperSOT TM-3提供低RDS（ON）和30％上 在相同的空间比SOT23封装的功率处理能力
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -2.40 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 55 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 500 mW
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids -2.40 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 882pF @10VVds
额定功率Max 460 mW
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.4 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDN302P Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
NTR1P02LT1G 安森美 | 功能相似 | FDN302P和NTR1P02LT1G的区别 |
NTR1P02LT3G 安森美 | 功能相似 | FDN302P和NTR1P02LT3G的区别 |
IRLML2244TRPBF 国际整流器 | 功能相似 | FDN302P和IRLML2244TRPBF的区别 |