FDG6318PZ中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -500 mA
通道数 2
漏源极电阻 780 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 0.3 W
输入电容 85.4 pF
栅电荷 1.08 nC
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 500 mA
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 85.4pF @10VVds
额定功率Max 300 mW
下降时间 24 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.3 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1 mm
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDG6318PZ
型号： FDG6318PZ
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FDG6318PZ
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDG6318PZ Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDG6318P 安森美 | 功能相似 | FDG6318PZ和FDG6318P的区别 |