FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDY4000CZ 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 600 mA, 20 V, 700 mohm, 4.5 V, 600 mV
The is a N/P-channel complementary MOSFET designed using advanced PowerTrench® process. The device is suitable for use with level shifting, power supply converter circuits, load/power switching cell phones and pagers applications.
欧时:
### PowerTrench® 双 N/P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.35A 6-Pin SOT-563F T/R
安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.35A 6-Pin SOT-563F T/R
TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 600/-350mA; 625mW; SC89
Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.35A 6-Pin SOT-563F T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDY4000CZ MOSFET Transistor, N and P Channel, 600 mA, 20 V, 700 mohm, 4.5 V, 600 mV
Win Source:
MOSFET N/P-CH 20V SC89-6
DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 20V 600/350 SC89-6
额定电压DC 600 V
额定电流 600 mA
额定功率 625 mW
针脚数 6
漏源极电阻 0.7 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 625 mW
阈值电压 600 mV
输入电容 60.0 pF
栅电荷 1.10 nC
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 600 mA
上升时间 13.0 ns
输入电容Ciss 60pF @10VVds
额定功率Max 446 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-89-6
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.5 mm
封装 SC-89-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDY4000CZ Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
NTZD3155CT1G 安森美 | 功能相似 | FDY4000CZ和NTZD3155CT1G的区别 |
NTZD3155CT2G 安森美 | 功能相似 | FDY4000CZ和NTZD3155CT2G的区别 |
NTZD3156CT1G 安森美 | 功能相似 | FDY4000CZ和NTZD3156CT1G的区别 |