Power Field-Effect Transistor, 3.8A ID, 200V, 1.25Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3
N-Channel 200 V 3.8A Tc 2.5W Ta, 37W Tc Surface Mount TO-252AA
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
DeviceMart:
MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
额定电压DC 200 V
额定电流 3.80 A
漏源极电阻 1.20 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.80 A
上升时间 90 ns
输入电容Ciss 325pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 50 ns
耗散功率Max 2.5W Ta, 37W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQD5N20LTM Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STD5N20LT4 意法半导体 | 功能相似 | FQD5N20LTM和STD5N20LT4的区别 |
MTD4N20E 摩托罗拉 | 功能相似 | FQD5N20LTM和MTD4N20E的区别 |