FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6304P 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -410 mA, -25 V, 0.85 ohm, -4.5 V, -820 mV
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -25V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| -8V 最大漏极电流IdDrain Current| -410mA/-0.41A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 1.5Ω@ VGS = -2.7V, ID = -250mA 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -0.65~-1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| Dual P-Channel, Digital FET General Description These dual P-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using "s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs. Features Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3 V circuits . Compact industry standard SC70-6 surface mount package. 描述与应用| 双N沟道,数字FET 概述 这些双N沟道逻辑电平增强模式场效应都采用飞兆半导体专有的,高细胞密度,DMOS技术生产。这非常高密度的过程特别是针对减少通态电阻。该器件设计,尤其是作为一个替代双极数字晶体管和小信号MOSFET的低电压应用。 特点 非常低的水平栅极驱动要求可直接操作3 V电路。 紧凑型工业标准SC70-6表面贴装封装。
额定电压DC -25.0 V
额定电流 -410 mA
针脚数 6
漏源极电阻 0.85 Ω
极性 P-Channel, Dual P-Channel
耗散功率 300 mW
输入电容 62.0 pF
栅电荷 1.10 nC
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 -25.0 V
连续漏极电流Ids -410 mA
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 62pF @10VVds
额定功率Max 300 mW
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1.1 mm
封装 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDG6304P Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDG6302P 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDG6304P和FDG6302P的区别 |
FDG6304P_NL 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDG6304P和FDG6304P_NL的区别 |