FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN308P 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -20 V, 125 mohm, -4.5 V, -1 V
The is a 2.5V specified P-channel MOSFET uses a rugged gate version of "s advanced PowerTrench® process. It has been optimized for power management and load switch applications with a wide range of gate drive voltage 2.5 to 12V. The SuperSOT™-3 provides low RDS ON and 30% higher power handling capability than SOT23 in the same footprint.
- .
- Fast switching speed
- .
- High performance Trench technology for extremely low RDS ON
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -1.50 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.125 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 500 mW
输入电容 341 pF
栅电荷 3.80 nC
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids -1.50 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 341pF @10VVds
额定功率Max 460 mW
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.4 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDN308P Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
NTR1P02LT1G 安森美 | 功能相似 | FDN308P和NTR1P02LT1G的区别 |
NTR1P02LT3G 安森美 | 功能相似 | FDN308P和NTR1P02LT3G的区别 |
PMV65XP,215 恩智浦 | 功能相似 | FDN308P和PMV65XP,215的区别 |