FJE3303H1TU参数规格_中文资料_数据手册PDF

FJE3303H1TU中文资料参数规格

技术参数

频率 4 MHz

额定电压DC 400 V

额定电流 1.50 A

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 20 W

漏源击穿电压 700 V

连续漏极电流Ids 1.50 A

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 8

额定功率Max 20 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 20000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 3.25 mm

高度 11 mm

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FJE3303H1TU

型号： FJE3303H1TU

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：高电压 NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

替代型号FJE3303H1TU