FQT3P20TF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -200 V
额定电流 -670 mA
通道数 1
漏源极电阻 2.7 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 670 mA
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 250pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-261-4
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 3.56 mm
高度 1.6 mm
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQT3P20TF引脚图与封装图 
在线购买FQT3P20TF
型号： FQT3P20TF
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：QFET® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。