FPN660A_D27Z

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FPN660A_D27Z中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 250 @500mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 550

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.7 mm

宽度 3.93 mm

高度 7.87 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FPN660A_D27Z
型号: FPN660A_D27Z
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Transistor Low Saturation

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