NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 500V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 400V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 300mA/0.3A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 40~200 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 750mV/0.75V 耗散功率PcPower Dissipation| 2W Description & Applications| High Voltage Transistor NPN Epitaxial Silicon Transistor 描述与应用| 高电压 NPN外延硅晶体管
额定电压DC 400 V
额定电流 300 mA
极性 NPN
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 0.3A
最小电流放大倍数hFE 40
最大电流放大倍数hFE 200
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.6 mm
封装 TO-261-4
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FJT44TF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FJT44KTF 飞兆/仙童 | 类似代替 | FJT44TF和FJT44KTF的区别 |
BSP19AT1G 安森美 | 功能相似 | FJT44TF和BSP19AT1G的区别 |
PZTA44,115 安世 | 功能相似 | FJT44TF和PZTA44,115的区别 |