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FPN660图片1

FPN660中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -3.00 A

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 2V

额定功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FPN660

型号： FPN660

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：PNP低饱和晶体管 PNP Low Saturation Transistor

替代型号FPN660

型号/品牌

代替类型

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