30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
N-Channel 30 V 9.5A Ta, 30A Tc 2.8W Ta, 36W Tc Through Hole I-PAK
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N沟道 30V 30A 9.5A
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MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A IPAK
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Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
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MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK
额定电压DC 30.0 V
额定电流 30.0 A
漏源极电阻 20.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.8 W
输入电容 660 pF
栅电荷 6.70 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 660pF @15VVds
额定功率Max 1.3 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 36W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
高度 6.1 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99