FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8878 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 2.5 V
N-Channel 30V 10.2A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SO
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
FDS8878 系列 N 沟道 30 V 14 mOhm PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC N T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8878 MOSFET Transistor, N Channel, 10.2 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 2.5 V
力源芯城:
30V,10.2A,17mΩ,N沟道PowerTrench MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
额定电压DC 30.0 V
额定电流 10.2 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.011 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 2.5 V
输入电容 897 pF
栅电荷 17.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 10.2 A
上升时间 29.0 ns
输入电容Ciss 897pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDS8878 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDS6614A 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDS8878和FDS6614A的区别 |
SI4410DYTRPBF 英飞凌 | 功能相似 | FDS8878和SI4410DYTRPBF的区别 |
STS11NF30L 意法半导体 | 功能相似 | FDS8878和STS11NF30L的区别 |