FDS8878

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FDS8878概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8878  晶体管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 2.5 V

N-Channel 30V 10.2A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SO


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
FDS8878 系列 N 沟道 30 V 14 mOhm PowerTrench Mosfet - SOIC-8


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC N T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8878  MOSFET Transistor, N Channel, 10.2 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 2.5 V


力源芯城:
30V,10.2A,17mΩ,N沟道PowerTrench MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC


FDS8878中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 10.2 A

针脚数 8

漏源极电阻 0.011 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 2.5 V

输入电容 897 pF

栅电荷 17.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 10.2 A

上升时间 29.0 ns

输入电容Ciss 897pF @15VVds

额定功率Max 2.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDS8878
型号: FDS8878
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8878  晶体管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 2.5 V
替代型号FDS8878
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FDS8878

Fairchild 飞兆/仙童

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