FJD5304DTF

FJD5304DTF图片1
FJD5304DTF图片2
FJD5304DTF图片3
FJD5304DTF图片4
FJD5304DTF图片5
FJD5304DTF图片6
FJD5304DTF图片7
FJD5304DTF图片8
FJD5304DTF图片9
FJD5304DTF图片10
FJD5304DTF图片11
FJD5304DTF图片12
FJD5304DTF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 400 V

额定电流 4.00 A

极性 NPN

耗散功率 1.25 W

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 8 @2A, 5V

额定功率Max 30 W

直流电流增益hFE 10

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FJD5304DTF
型号: FJD5304DTF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号FJD5304DTF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FJD5304DTF

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

FJD3305H1TM

飞兆/仙童

类似代替

FJD5304DTF和FJD3305H1TM的区别

TRD136DT4

意法半导体

功能相似

FJD5304DTF和TRD136DT4的区别

BUJ103AD@118

恩智浦

功能相似

FJD5304DTF和BUJ103AD@118的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台