FDMA410NZ中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.023 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 900 mW
阈值电压 700 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 9.50 A
上升时间 3.9 ns
输入电容Ciss 1080pF @10VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 3.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.9 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 WDFN-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 2 mm
高度 0.75 mm
封装 WDFN-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买FDMA410NZ
型号： FDMA410NZ
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA410NZ 场效应管, MOSFET, N沟道, 9.5A, 20V
替代型号FDMA410NZ
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDMA410NZ Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
IRLHS6242TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | FDMA410NZ和IRLHS6242TRPBF的区别 |