FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC855N 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.1 A, 30 V, 0.0207 ohm, 10 V, 2 V
The is a logic level single N-channel MOSFET produced utilizing Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It is an efficient solution for low voltage and battery powered applications. It possesses minimized ON-state resistance to optimize the power consumption and ideal for applications where in-line power loss is critical.
针脚数 6
漏源极电阻 0.0207 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.6 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 6.1A
上升时间 2 ns
输入电容Ciss 655pF @15VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
长度 3 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDC855N Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
RTQ045N03TR 罗姆半导体 | 功能相似 | FDC855N和RTQ045N03TR的区别 |
RTQ035N03TR 罗姆半导体 | 功能相似 | FDC855N和RTQ035N03TR的区别 |
RTQ020N03TR 罗姆半导体 | 功能相似 | FDC855N和RTQ020N03TR的区别 |