FDFS6N548中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 23.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
上升时间 2 ns
输入电容Ciss 700pF @15VVds
额定功率Max 1.6 W
下降时间 2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDFS6N548
型号： FDFS6N548
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：N 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET，带肖特基二极管，Fairchild Semiconductor 设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关 独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。