FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN359AN... 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 2.7A, SSOT
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 2.7A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.046Ω/Ohm @2.7A,10V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 1-3V 耗散功率Pd Power Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| N-Channel Logic Level PowerTrench TM MOSFET General Description This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain uperior switching performance. These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required. 2.7 A, 30 V. RDSON = 0.046 W @ VGS = 10 V RDSON = 0.060 W @ VGS = 4.5 V. Very fast switching. Low gate charge 5nC typical. High power version of industry standard SOT-23 package. Identical pin out to SOT-23 with 30% higher power handling capability. 描述与应用| N沟道逻辑电平的PowerTrench TM MOSFET 概述 这N沟道逻辑电平MOSFET产生 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench进程,已特别定制 尽量减少对通态电阻,但维持优越的开关性能。 这些器件非常适用于低电压,电池供电应用中低线的功率 损耗和快速开关是必需的。 开关速度非常快。 低栅极电荷(典5NC) 高功率版本的行业标包相同的引脚SOT-23高出30% 功率处理能力
额定电压DC 30.0 V
额定电流 2.70 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 46 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 1.6 V
输入电容 480 pF
栅电荷 5.00 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 2.70 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 480pF @10VVds
额定功率Max 460 mW
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.5 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.4 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDN359AN Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDN359BN_F095 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDN359AN和FDN359BN_F095的区别 |