FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6304P 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -460 mA, -25 V, 0.87 ohm, -4.5 V, -860 mV
Mosfet Array 2 P-Channel Dual 25V 460mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
贸泽:
MOSFET SSOT-6 P-CH -25V
e络盟:
场效应管, MOSFET, 双P沟道, -25V, SUPERSOT-6
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 6-Pin SuperSOT T/R
富昌:
FDC6304P 系列 25 V 1.1 Ohms 双 P 沟道 数字 FET SSOT-6
Verical:
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 6-Pin SuperSOT T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6304P MOSFET Transistor, Dual, Dual P Channel, -460 mA, -25 V, 0.87 ohm, -4.5 V, -860 mV
Win Source:
MOSFET 2P-CH 25V 0.46A SSOT-6
DeviceMart:
MOSFET P-CH DUAL 25V SSOT-6
额定电压DC -25.0 V
额定电流 -460 mA
通道数 2
针脚数 6
漏源极电阻 0.87 Ω
极性 P-Channel, Dual P-Channel
耗散功率 900 mW
阈值电压 860 mV
输入电容 62.0 pF
栅电荷 1.10 nC
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25 V
连续漏极电流Ids -460 mA
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 62pF @10VVds
额定功率Max 700 mW
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 900 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1 mm
封装 TSOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99